介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法、

電感：
 
線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
 
  主要技術(shù)特性  
Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ，

量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
電感測(cè)量范圍  4.5nH ～ 140mH  
電容直接測(cè)量范圍  1 ～ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
頻率分段 （ 虛擬 ）100 ～ 999.999kHz，1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz，100 ～ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm

計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。 
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具
，測(cè)量值更為精確，測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。  

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀使用步驟 如下：

測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求），如：1MHz 時(shí)電感取250uH，15MHz時(shí)電感取1.5uH。
d. 短按ON/OFF按鍵，打開液晶顯示屏。
e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，使平板電容器二極片相接為止，長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。

4．介電常數(shù)Σ的測(cè)試

a. 再松開二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，使Q 表再回到諧振點(diǎn)上，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4

c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)：
                   Σ＝D2 / D4
5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試

a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。

c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記為C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 －C1

d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)

?式中：CZ 為測(cè)試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
C0 為測(cè)試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）